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SI9933CDY-T1-E3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI9933CDY-T1-E3参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：58 毫欧 @ 4.8A，4.5V Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：665pF @ 10V 功率 - 最大：3.1W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 数据采集 - 数模MX7837JN 存储器AT24C04AN-10SI-2.7SL383 LED - 分立式BR1101W-TR 微調器ST32ETA502 通用嵌入式开发板和AC812001 晶体管(BJT) BUT90 薄膜电容器BFC237221154 DC DC ConVE-BWK-CW 固定式RL895-473K 时钟/计时 - 时MK3771-17RLFTR |
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